最近，理化技术研究所孟祥敏研究员与理化所客座教授、香港城市大学张文军博士和李述汤讲座教授合作，在ZnS纳米材料的设计、合成与表征方面取得了重大进展，相关研究成果发表在Angew. Chem. Int. Ed. 2006, 45, 2568 –2571 和, Adv. Mater. 2006, 18, 1527–1532。此项研究得到了国家自然科学基金委员会、中国科学院和香港裘磋基金会的大力支持，并受到国内外同行的广泛关注。 纳米科学技术是科学研究中最活跃的领域之一，而作为纳米科技的基础，纳米材料的制备在最近几年取得了飞速发展，材料的制备水平已日趋深入、成熟和多样化。实验表明纳米材料的形貌、尺寸和结构对纳米材料的应用有很大的影响，因此，通过实验对纳米材料形貌、尺寸和结构进行可控制备，已经成为当前纳米材料研究的一个热点。此前一些研究小组利用光刻和离子刻蚀技术制备了一些Y型器件，发现它们有很好的非线形电子传输性能。在此基础上，我所利用一种简单的热蒸发方法，通过控制纳米材料的合成条件，制备了飞标尾状(Y型)的ZnS三晶纳米带和纳米尺度的三维同质外延结构(T型)。通过扫描电镜、透射电镜及光谱分析手段对它们的结构、取向关系、形核与生长机制和光学性能进行详细分析，实验小组进一步发现了衬底对纳米材料的形核生长有明显的影响，不同衬底上生长出的纳米材料形貌和结构不同，而且这些三维纳米材料的发光强度与一维纳米材料有明显区别，与阵列纳米材料的取向有关。 Y型和T型纳米结构材料具有明显的非线性特征，在直流整流器、频率放大器等方面具有潜在的应用前景，这些形貌的纳米材料必将为新型纳米器件的研究与应用奠定良好的研发基础。 业务处 2007-2-5